Эффект поля в структуре металл - сегнетоэлектрик - полупроводник с использованием многослойного сегнетоэлектрика

Эффект поля в структуре металл - сегнетоэлектрик - полупроводник с использованием многослойного сегнетоэлектрика. Стрюков, Д. В., Мухортов, В. М., Бирюков, С. В., & Головко, Ю. И. Наука Юга России, 13(1):18–24, 2017.

Paper doi abstract bibtex

Одной из важнейших концепций использования сегнетоэлектрических гетероструктур в микроэлектронике является энергонезависимая память (FeRAM), где в качестве подзатворного диэлектрика в полевом транзисторе используется сегнетоэлектрическая пленка. Вторым важным применением сегнетоэлектрических пленок является их использование при создании принципиально новых микроэлектромеханических устройств (МЕМС). Реализация МЕМС с использованием сегнетоэлектрических наноразмерных пленок в качестве активного элемента по своим параметрам в десятки раз будет превосходить существующие аналоги. В последние годы вопросам стабильности поляризованного состояния и динамики переключения поляризации придается большое значение. В данной работе впервые приведены результаты по исследованию эффекта поля в структуре металл - сегнетоэлектрик - полупроводник, где в качестве сегнетоэлектрика использованы многослойные сегнетоэлектрические слои. Использование многослойных сегнетоэлектрических гетероструктур приводит к самосогласованию поверхностных состояний на границах полупроводник - сегнетоэлектрик и сегнетоэлектрик - сегнетоэлектрик с переключаемой под действием внешнего поля спонтанной поляризацией. Это позволяет создать устойчивое поляризованное состояние с незначительной ее релаксацией.

@article{__2017-5,
	title = {Эффект поля в структуре металл - сегнетоэлектрик - полупроводник с использованием многослойного сегнетоэлектрика},
	volume = {13},
	issn = {2500-0640},
	url = {https://elibrary.ru/item.asp?id=28843943},
	doi = {10.23885/2500-0640-2017-13-1-18-24},
	abstract = {Одной из важнейших концепций использования сегнетоэлектрических гетероструктур в микроэлектронике является энергонезависимая память (FeRAM), где в качестве подзатворного диэлектрика в полевом транзисторе используется сегнетоэлектрическая пленка. Вторым важным применением сегнетоэлектрических пленок является их использование при создании принципиально новых микроэлектромеханических устройств (МЕМС). Реализация МЕМС с использованием сегнетоэлектрических наноразмерных пленок в качестве активного элемента по своим параметрам в десятки раз будет превосходить существующие аналоги. В последние годы вопросам стабильности поляризованного состояния и динамики переключения поляризации придается большое значение. В данной работе впервые приведены результаты по исследованию эффекта поля в структуре металл - сегнетоэлектрик - полупроводник, где в качестве сегнетоэлектрика использованы многослойные сегнетоэлектрические слои. Использование многослойных сегнетоэлектрических гетероструктур приводит к самосогласованию поверхностных состояний на границах полупроводник - сегнетоэлектрик и сегнетоэлектрик - сегнетоэлектрик с переключаемой под действием внешнего поля спонтанной поляризацией. Это позволяет создать устойчивое поляризованное состояние с незначительной ее релаксацией.},
	language = {ru},
	number = {1},
	urldate = {2023-11-11},
	journal = {Наука Юга России},
	author = {Стрюков, Д. В. and Мухортов, В. М. and Бирюков, С. В. and Головко, Ю. И.},
	year = {2017},
	keywords = {Двумерные Напряжения, Двухслойные Сегнетоэлектрики, Сегнетоэлектрическая Пленка, Структура, Эффект Поля},
	pages = {18--24},
	file = {Полный текст:C\:\\Users\\aleks\\Zotero\\storage\\A5UM2STP\\Стрюков и др. - 2017 - Эффект Поля В Структуре Металл - Сегнетоэлектрик -.pdf:application/pdf},
}

Downloads: 0

{"_id":"FnFJ3JNtwDBnbqgnu","bibbaseid":"-----2017","author_short":["Стрюков, Д. В.","Мухортов, В. М.","Бирюков, С. В.","Головко, Ю. И."],"bibdata":{"bibtype":"article","type":"article","title":"Эффект поля в структуре металл - сегнетоэлектрик - полупроводник с использованием многослойного сегнетоэлектрика","volume":"13","issn":"2500-0640","url":"https://elibrary.ru/item.asp?id=28843943","doi":"10.23885/2500-0640-2017-13-1-18-24","abstract":"Одной из важнейших концепций использования сегнетоэлектрических гетероструктур в микроэлектронике является энергонезависимая память (FeRAM), где в качестве подзатворного диэлектрика в полевом транзисторе используется сегнетоэлектрическая пленка. Вторым важным применением сегнетоэлектрических пленок является их использование при создании принципиально новых микроэлектромеханических устройств (МЕМС). Реализация МЕМС с использованием сегнетоэлектрических наноразмерных пленок в качестве активного элемента по своим параметрам в десятки раз будет превосходить существующие аналоги. В последние годы вопросам стабильности поляризованного состояния и динамики переключения поляризации придается большое значение. В данной работе впервые приведены результаты по исследованию эффекта поля в структуре металл - сегнетоэлектрик - полупроводник, где в качестве сегнетоэлектрика использованы многослойные сегнетоэлектрические слои. Использование многослойных сегнетоэлектрических гетероструктур приводит к самосогласованию поверхностных состояний на границах полупроводник - сегнетоэлектрик и сегнетоэлектрик - сегнетоэлектрик с переключаемой под действием внешнего поля спонтанной поляризацией. Это позволяет создать устойчивое поляризованное состояние с незначительной ее релаксацией.","language":"ru","number":"1","urldate":"2023-11-11","journal":"Наука Юга России","author":[{"propositions":[],"lastnames":["Стрюков"],"firstnames":["Д.","В."],"suffixes":[]},{"propositions":[],"lastnames":["Мухортов"],"firstnames":["В.","М."],"suffixes":[]},{"propositions":[],"lastnames":["Бирюков"],"firstnames":["С.","В."],"suffixes":[]},{"propositions":[],"lastnames":["Головко"],"firstnames":["Ю.","И."],"suffixes":[]}],"year":"2017","keywords":"Двумерные Напряжения, Двухслойные Сегнетоэлектрики, Сегнетоэлектрическая Пленка, Структура, Эффект Поля","pages":"18–24","file":"Полный текст:C\\:\\\\Users\\\\aleks\\\\Zotero\\\\storage\\\\A5UM2STP\\\\Стрюков и др. - 2017 - Эффект Поля В Структуре Металл - Сегнетоэлектрик -.pdf:application/pdf","bibtex":"@article{__2017-5,\n\ttitle = {Эффект поля в структуре металл - сегнетоэлектрик - полупроводник с использованием многослойного сегнетоэлектрика},\n\tvolume = {13},\n\tissn = {2500-0640},\n\turl = {https://elibrary.ru/item.asp?id=28843943},\n\tdoi = {10.23885/2500-0640-2017-13-1-18-24},\n\tabstract = {Одной из важнейших концепций использования сегнетоэлектрических гетероструктур в микроэлектронике является энергонезависимая память (FeRAM), где в качестве подзатворного диэлектрика в полевом транзисторе используется сегнетоэлектрическая пленка. Вторым важным применением сегнетоэлектрических пленок является их использование при создании принципиально новых микроэлектромеханических устройств (МЕМС). Реализация МЕМС с использованием сегнетоэлектрических наноразмерных пленок в качестве активного элемента по своим параметрам в десятки раз будет превосходить существующие аналоги. В последние годы вопросам стабильности поляризованного состояния и динамики переключения поляризации придается большое значение. В данной работе впервые приведены результаты по исследованию эффекта поля в структуре металл - сегнетоэлектрик - полупроводник, где в качестве сегнетоэлектрика использованы многослойные сегнетоэлектрические слои. Использование многослойных сегнетоэлектрических гетероструктур приводит к самосогласованию поверхностных состояний на границах полупроводник - сегнетоэлектрик и сегнетоэлектрик - сегнетоэлектрик с переключаемой под действием внешнего поля спонтанной поляризацией. Это позволяет создать устойчивое поляризованное состояние с незначительной ее релаксацией.},\n\tlanguage = {ru},\n\tnumber = {1},\n\turldate = {2023-11-11},\n\tjournal = {Наука Юга России},\n\tauthor = {Стрюков, Д. В. and Мухортов, В. М. and Бирюков, С. В. and Головко, Ю. И.},\n\tyear = {2017},\n\tkeywords = {Двумерные Напряжения, Двухслойные Сегнетоэлектрики, Сегнетоэлектрическая Пленка, Структура, Эффект Поля},\n\tpages = {18--24},\n\tfile = {Полный текст:C\\:\\\\Users\\\\aleks\\\\Zotero\\\\storage\\\\A5UM2STP\\\\Стрюков и др. - 2017 - Эффект Поля В Структуре Металл - Сегнетоэлектрик -.pdf:application/pdf},\n}\n\n","author_short":["Стрюков, Д. В.","Мухортов, В. М.","Бирюков, С. В.","Головко, Ю. И."],"key":"__2017-5","id":"__2017-5","bibbaseid":"-----2017","role":"author","urls":{"Paper":"https://elibrary.ru/item.asp?id=28843943"},"keyword":["Двумерные Напряжения","Двухслойные Сегнетоэлектрики","Сегнетоэлектрическая Пленка","Структура","Эффект Поля"],"metadata":{"authorlinks":{}}},"bibtype":"article","biburl":"https://bibbase.org/f/NkS9m4R3ieFPicBbH/nanokafedra2002-2023.bib","dataSources":["xX9hha9ktfmqRQrkv","KsvmQPo2SGhyhNkpL","oS6pjR476Q7yGKrQX","TJkbwzD8s2wCxBy6Y","3xT8SMGPLHLRwLW4t","H8jzwZT5FQ8p3uspr","t334MWsk8W74r2QJi","XXMPhKJLn3LzRFzbL","5vfT7chqyKSuztznA","EotKB7sk8uWbfvCNP","iqZ6yCQy9c7Kx7JKS","3bDLdJJSLMCzwHmsG","prFTW7rEBBSfixaBo","RoaBGmQmfRk3b7pjt"],"keywords":["двумерные напряжения","двухслойные сегнетоэлектрики","сегнетоэлектрическая пленка","структура","эффект поля"],"search_terms":["стрюков","мухортов","бирюков","головко"],"title":"Эффект поля в структуре металл - сегнетоэлектрик - полупроводник с использованием многослойного сегнетоэлектрика","year":2017}