Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN. Войцеховский, А., Несмелов, С., Кульчицкий, Н., & Мельников, А. Нано- и микросистемная техника, 2011.
Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN [link]Paper  bibtex   
@article{__2011-13,
	title = {Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям {InGaN}/{GaN}},
	url = {http://elibrary.ru/item.asp?id=16558943},
	language = {russian},
	number = {8},
	journal = {Нано- и микросистемная техника},
	author = {Войцеховский, А.В. and Несмелов, С.Н. and Кульчицкий, Н.А. and Мельников, А.А.},
	year = {2011},
	pages = {27--35}
}

Downloads: 0